Керамическая доска из карбида кремния
Введение
Керамическая плита из карбида кремния, используемая для обжига фарфора и керамических изделий (температура ниже 1450 градусов), изготовлена из SiC, связанного оксидом кремния (Si2O3), и технически называется «карбид кремния, связанный оксидом».
Технический параметр
Типовой анализ качества |
| Оксид на связке |
карбид кремния (O-SiC) | ||
Максимум. рабочая температура (градусы) | 1450 | |
Химический составSiC (в процентах) | 90 | |
SiO2 | 8 | |
Кажущаяся пористость (в процентах) | 7-8 | |
Объемная плотность (г/см3) | 2.75 | |
Модуль разрыва | 50 | |
при комнатной температуре (МПа) | ||
1400 градусов | 55 | |
Тепловое расширение | 4.2-4.8 | |
при 1000 градусов (10-6K-1) | ||
Теплопроводность | 13.5-14.5 | |
при 1000 градусов (Вт/мК) |
Преимущество продукта
Этот огнеупор из карбида кремния имеет очень высокую теплопроводность (почти в 10 раз выше, чем у муллитового огнеупора) и высокую скорость излучения длинноволнового инфракрасного излучения, что обеспечивает очень высокую тепловую эффективность изделий.
С точки зрения экономической эффективности для обжига изделий из фарфора и керамики этот SiC на оксидной связке является наиболее ценным и подходящим огнеупором. Максимальная рекомендуемая рабочая температура нашей плиты SiC (O-SiC) составляет 1450 градусов.
Производственное оборудование
горячая этикетка : Керамическая плита из карбида кремния, Китай, производители, поставщики, завод, цена, SIC Plate с жесткостью, покрытие использование оксидного связующего, кремниевый карбид с оксидной связью для покрытия, Кремниевое карбид применения нанесения нанесения покрытия, применение нанесения нанесения оксида оксида кремния, передавать литье использование оксида связана SIC
Предыдущая статья
БесплатноСледующая статья
SiC Ceramic BoardВам также может понравиться
Отправить запрос